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NTD20N03L27T4

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相关型号： NTD20N03L27G NTD20N03L27-1G NTD20N03L27-001 NTD20N03L27 NTD18N06T4G NTD18N06LT4G

NTD20N03L27T4G
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NTD20N03L27T4G参数：MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：27 毫欧 @ 10A，5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1260pF @ 25V
功率 - 最大值：1.75W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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