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NTD3055L104

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NTD3055L104T4G 优势库存
ON
SOT-252
2023+
20356
原装现货，价格优势
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NTD3055L104T4G
onsemi
DPAK
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NTD3055L104
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NTD3055L104-1G
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2023+
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NTD3055L104G
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DPAK
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NTD3055L104T4
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2023+
40057
全新进口原装现货,特价热卖
NTD3055L104G
ONS
TO252
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NTD3055L104T4G
2023+
3757
原厂原装,保证质量
NTD3055L104-1G
ON
DPAK-3
2023+
26557
全新进口原装现货,特价热卖
NTD3055L104-001
ON
TO-252
2023+
10278
全新进口原装现货,保证质量
NTD3055L104
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TO252
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
NTD3055L104
ONSemiconductor
DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTD3055L104-1G
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IPak,TO-251,..
2023+
6000
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NTD3055L104-001
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TO-252
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9000
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NTD3055L104T4
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NTD3055L104T4G
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DPak,SC-63,T..
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NTD3055L104TG
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NTD3055L104T4G
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DPAK-2
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【【【原装绝对有货】】】
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【【【原装绝对有货】】】
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相关型号： NTD3055-150T4G NTD3055-150T4 NTD3055-150G NTD3055-150-1G NTD3055-094T4G NTD3055-094G

NTD3055L104
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NTD3055L104参数：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：104毫欧@6A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：440pF@25V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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