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NTD32N06

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NTD32N06T4G 优势库存
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TO-252(DPAK)
2023+
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全新原厂原装现货
NTD32N06L-1G 优势库存
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TO-252(DPAK)
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全新原厂原装现货
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TO-252(DPAK)
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NTD32N06L 优势库存
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TO-252(DPAK)
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NTD32N06LT4G 优势库存
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TO-252(DPAK)
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NTD32N06T4 优势库存
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TO-252(DPAK)
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原装现货，价格优势
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NTD32N06T4G
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NTD32N06LT4G
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NTD32N06L-1G
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NTD32N06L
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NTD32N06L-001
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NTD32N06-001
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NTD32N06-001
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DPAK-3
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ONSemiconductor
DPak,SC-63,T..
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NTD32N06T4
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TO-252
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NTD32N06LT4G
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DPak,SC-63,T..
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NTD32N06LT4
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NTD32N06
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DPak,SC-63,T..
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NTD32N06-1G
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NTD32N06-001
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NTD32N06
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TO-252
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NTD32N06L
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SOT-252
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全新进口原装现货,保证质量
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NTD32N06L-1
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TO-252
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工厂配单，价格优势
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NTD32N06-1
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TO-252
2023+
31278
工厂配单，价格优势
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库房现货原装进口
2023+
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相关型号： NTD30N02T4 NTD30N02G NTD3055L170T4G NTD3055L170G NTD3055L170-1G NTD3055L170-001

NTD32N06
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NTD32N06参数：MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：26毫欧@16A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1725pF@25V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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