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NTD32N06T4

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相关型号： NTD32N06LT4G NTD32N06LG NTD32N06L-1G NTD32N06L-001 NTD32N06L NTD32N06G

NTD32N06T4G
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NTD32N06T4G参数：MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：26毫欧@16A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1725pF@25V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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