NTD4302-1G参数：MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： LTBNotification标准包装：75系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2400pF@24V功率-最大值：1.04W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：I-Pak
