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NTD70N03R

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相关型号： NTD6600NT4G NTD6600NT4 NTD6600N-1G NTD6600N-001 NTD6600N NTD65N03RT4G

NTD70N03R
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NTD70N03R参数：MOSFET N-CH 25V 10A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13.2nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1333pF@20V
功率-最大值：1.36W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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