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NTE4153N

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NTE4153NT1G
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NTE4153NT1G参数：MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：915mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：230 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.82nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：110pF @ 16V
功率 - 最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-89，SOT-490
供应商器件封装：SC-89-3

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