NTF3055L108T1G参数：MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：120毫欧@1.5A，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：440pF@25V功率-最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
