NTGD3133PT1G参数：MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：145毫欧@2.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：400pF@10V功率-最大值：560mW安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
