NTGS3446T1参数：MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008 WireChange08/Oct/2008标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@5.1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：750pF@10V功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
