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NTHD4N02F

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NTHD4N02FT1
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NTHD4N02FT1参数：MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@2.9A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：300pF@10V
功率-最大值：910mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：ChipFET?

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