NTHD5902T1参数：MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence25/Jul/2003标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@2.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：-功率-最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
