NTJS4160N

NTJS4160NT1G
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NTJS4160NT1G参数：MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence08/Apr/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@2.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.75nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：230pF@10V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-88