NTLJD3182FZTBG参数：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：450pF@10V功率-最大值：710mW安装类型：表面贴装封装：6-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-WDFN（2x2）
