NTLTD7900ZR2G参数：MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：26毫欧@6.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：15pF@16V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-VDFN裸露焊盘供应商器件封装：Micro8?
