NTMD2C02R2SG参数：MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： WireChange20/Aug/2008 ProductDiscontinuation01/Oct/2008标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.2A，3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：43毫欧@4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@10V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
