NTMD6601NR2G参数：MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence05/Oct/2010标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：80V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：215毫欧@2.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：400pF@25V功率-最大值：600mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
