NTMS4101PR2参数：MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence01/Apr/2004标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：19毫欧@6.9A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：450mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：32nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3200pF@10V功率-最大值：1.38W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
ONSOP82023+93350全新原厂原装现货