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NTMS4706N

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NTMS4706NR2G 优势库存
ON
SOP8
2023+
5962
原装正品现货
NTMS4706NR2G
onsemi
8-SOIC
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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NTMS4706NR2
onsemi
8-SOIC
2023+
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NTMS4706NR2G
ON
2005
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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NTMS4706NR2G
ONSemiconductor
8-SOIC（3.9mm）
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTMS4706NR2
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8-SOIC（3.9mm）
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NTMS4706NR2
ON
SOP8
2023+
5057
原装现货,即时发货
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NTMS4706NG
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SOP-8
2023+
1319
全新进口原装现货,保证质量
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NTMS4706N
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SOP-8
2023+
1503
工厂配单，价格优势
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NTMS4706NR2G
原装正品
原厂封装
2023+
9850
一级代理分销/全新现货/长..
NTMS4706NR2G
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2023+
4500
NTMS4706NR2
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全新原装现货
2023+
4500
相关型号： NTMS4705NR2G NTMS4700NR2G NTMS4700NR2 NTMS4503NR2G NTMS4503NR2 NTMS4404NR2

NTMS4706NR2
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NTMS4706NR2参数：MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12毫欧@10.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：950pF@24V
功率-最大值：830mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN

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