NTMS5P02R2G参数：MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： WireChange20/Aug/2008标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.95A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：33毫欧@5.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.25V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1900pF@16V功率-最大值：790mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
