NTMS7N03R2参数：MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： WireChange20/Aug/2008 ProductDiscontinuation20/Aug/2008标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：23毫欧@7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：43nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1190pF@25V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
