NTQD6866R2参数：MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence06/Oct/2006标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：32毫欧@6.9A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@16V功率-最大值：940mW安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-TSSOP
