NTS2101PT1参数：MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：8V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.4nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：640pF@8V功率-最大值：290mW安装类型：表面贴装封装：SC-70，SOT-323供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）