NTTD1P02R2G参数：MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence06/Oct/2006标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.45A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@1.45A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：265pF@16V功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）供应商器件封装：Micro8?
