NTTFS4945NTWG参数：MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence05/Oct/2010标准包装：5,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17.3nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1194pF@15V功率-最大值：890mW安装类型：表面贴装封装：8-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
