NVF2955T1G参数：MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 750mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.3nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：492pF @ 25V功率 - 最大值：2.3W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
