NVMD3P03R2G参数：MOSFET P CH 30V 2.34A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.34A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 3.05A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 24V功率 - 最大值：730mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOIC