NX1029X,115参数:MOSFET DUAL N/P-CH SOT666
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:4,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:*漏源极电压 (Vdss):60V,50V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):410mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-功率 - 最大值:-安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:SOT-666