NX1029X,115参数：MOSFET DUAL N/P-CH SOT666
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：4,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：*漏源极电压 (Vdss)：60V，50V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：410mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-666
