PD20015S-E参数：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：50系列：-包装：管件晶体管类型：LDMOS频率：2GHz增益：11dB电压 - 测试：13.6V额定电流：7A噪声系数：-电流 - 测试：350mA功率 - 输出：15W电压 - 额定：40V封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装：PowerSO-10RF（直引线）
