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PD200HB

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相关型号： PD20015S-E PD20015-E PD20015C PD20010TR-E PD20010STR-E PD20010S-E

PD20010-E
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PD20010-E参数：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

类别：分立半导体产品-RF FET
其它有关文件： PD20010-EViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：-
包装：管件
晶体管类型：LDMOS
频率：2GHz
增益：11dB
电压-测试：13.6V
额定电流：5A
噪声系数：-
电流-测试：150mA
功率-输出：10W
电压-额定：40V
封装：PowerSO-10RF裸露底部焊盘（2条成形引线）
供应商器件封装：PowerSO-10RF（成形引线）

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