PD20010-E参数：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
类别：分立半导体产品-RF FET其它有关文件： PD20010-EViewAllSpecifications标准包装：50系列：-包装：管件晶体管类型：LDMOS频率：2GHz增益：11dB电压-测试：13.6V额定电流：5A噪声系数：-电流-测试：150mA功率-输出：10W电压-额定：40V封装：PowerSO-10RF裸露底部焊盘（2条成形引线）供应商器件封装：PowerSO-10RF（成形引线）
