PD85025STR-E参数：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
类别：分立半导体产品-RF FET其它有关文件： PD85025-EViewAllSpecifications标准包装：1系列：-包装：剪切带(CT)晶体管类型：LDMOS频率：870MHz增益：17.3dB电压-测试：13.6V额定电流：7A噪声系数：-电流-测试：300mA功率-输出：10W电压-额定：40V封装：PowerSO-10RF裸露底部焊盘（2条直引线）供应商器件封装：PowerSO-10RF（直引线）
