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PDTA143ZE

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PDTA143ZEF,115
NXP USA Inc.
SC-89
2023+
500
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PDTA143ZEF
NXPSemiconduct..
SC-89
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.
SC-75
2023+
500
全新原装现货质量保证
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PDTA143ZE
NXPSemiconduct..
EMT3(SOT-416..
2023+
9000
品质保证,价格优惠
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PDTA143ZEF115
NXPSemiconduct..
SC-89,SOT-490
2023+
1250
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PDTA143ZE115
NXPSemiconduct..
SC-75,SOT-416
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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PDTA143ZE
NXP
SOT416
2023+
91278
工厂配单，价格优势
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PDTA143ZE115
NXP
SOT-416-3
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
相关型号： PDTA143XU,115 PDTA143XT,215 PDTA143XS,126 PDTA143XMB,315 PDTA143XM,315 PDTA143XK,115

PDTA143ZE,115
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PDTA143ZE,115参数：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品目录绘图： SOT-416PackageTop PDTA1xxxESeriesCircuit
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：PNP-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：4.7k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：47k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@10mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：100mV@250µA，5mA
电流-集电极截止（最大值）：1µA
频率-跃迁：-
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：SC-75

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