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PDTC114TE

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PHILIPS
SC-75
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PDTC114TE
NXPSemiconduct..
EMT3(SOT-416..
2023+
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PDTC114TE,115
NXP USA Inc.
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PDTC114TEF115
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SC-89,SOT-490
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PDTC114TE.115
PHA
2023+
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PDTC114TEF
PHILIPS
SOT523
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PDTC114TE115
NXP
SOT-416-3
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【【原装绝对有货】】
PDTC114TE
NXP
原装现货
2023+
4500
相关型号： PDTC114EU,135 PDTC114EU,115 PDTC114ET,235 PDTC114ET,215 PDTC114ES,126 PDTC114EMB,315

PDTC114TE,115
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PDTC114TE,115参数：TRANS NPN W/RES 50V SOT416

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：-
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1mA，5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：SC-75

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