PH5525L

PH5525L,115
PDF资料下载

PH5525L,115参数：MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：81.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2150pF @ 12V
功率 - 最大值：62.5W
安装类型：表面贴装
封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装：LFPAK，Power-SO8