PH8230E,115参数：MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,500系列：TrenchMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：67A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1400pF @ 10V功率 - 最大值：62.5W安装类型：表面贴装封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK供应商器件封装：LFPAK，Power-SO8
