PHB11N06LT

PHB11N06LT,118
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PHB11N06LT,118参数：MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：800
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：330pF @ 25V
功率 - 最大值：33W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK