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PHD101NQ03

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PHD101NQ03LT 优势库存
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2023+
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PHD101NQ03LT,118
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DPAK
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PHD101NQ03LT
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TO252-2
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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PHILIPS
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2023+
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PHD101NQ03LT
PHILIPS
SOT-252
2023+
293
品质保证,价格优惠
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
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PHD101NQ03LT118
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TO-252-3,DPa..
2023+
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全新进口原装现货品质保证
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PHD101NQ03LT/3
TO-252
2023+
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工厂配单，价格优势
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PHD101NQ03LT/T3
飞利浦
252
2023+
6000
原装现货
相关型号： PHD.3B.308.CLLD82 PHD.2K.310.CYMC70Z PHD.2K.200.CZZ PHC-M4-433 PHC6-KIT PHC6A-KIT

PHD101NQ03LT,118
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PHD101NQ03LT,118参数：MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2180pF @ 25V
功率 - 最大值：166W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK

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