PHD21N06LT

PHD21N06LT,118
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PHD21N06LT,118参数：MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：19A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：650pF @ 25V
功率 - 最大值：56W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK