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PHD3055

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PHD3055L 优势库存
PHILIPS
TO-252(DPAK)
2023+
7130
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PHD3055E 优势库存
PHILIPS
SOT252
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PHD3055E 优势库存
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TO-252
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PHD3055L
PHILIPS
TO-252
2023+
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PHD3055E
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TO-252
2023+
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PHD3055
2023+
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原装现货价格优势
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PHD3055E
PH
SOT428TO-252
2023+
27350
品质保证,价格优惠
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PHD3055E118
NXPSemiconduct..
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全新进口原装现货品质保证
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PHD3055E--252
PHILIPS
TO-252
2023+
6278
工厂配单，价格优势
深圳市跃创科技有限公司 VIP现货会员
电话：0755-83217923
联系人：销售部
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PHD3055E.118
Philips
2023+
3778
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PHD3055E
PH
TO-252-2
2023+
9860
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PHD3055E118
NXP
DPAK-2
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12000
【【原装绝对有货】】
PHD3055E
飞利浦
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原装现货
相关型号： PHD23NQ10T,118 PHD22NQ20T,118 PHD21N06LT,118 PHD20N06T,118 PHD18NQ10T,118 PHD16N03T,118

PHD3055E,118
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PHD3055E,118参数：MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 25V
功率 - 最大值：33W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK

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