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PHD45N03L

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PHD45N03LTA118 优势库存
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PHD45N03LTA 优势库存
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PHD45N03LTA,118
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DPAK
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500
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PHD45N03LA
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PHD45N03LTA
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品质保证,价格优惠
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PHD45N03LTA118
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品质保证,价格优惠
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5000
品质保证,价格优惠
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PHD45N03LTA118
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1250
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PHD45N03LT(ON5127)
PHI
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PHD45N03L
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TO-252
2023+
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工厂配单，价格优势
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PHD45N03LTA
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2390
优势现货量大可供实单价可谈
PHD45N03LTA
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飞利浦
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原装现货
相关型号： PHD38N02LT,118 PHD37N06LT,118 PHD36N03LT,118 PHD34NQ10T,118 PHD33NQ20T,118 PHD3055E,118

PHD45N03LTA,118
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PHD45N03LTA,118参数：MOSFET N-CH 25V 40A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：19nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：700pF @ 25V
功率 - 最大值：65W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK

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