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PHK18NQ03LT

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PHK18NQ03LT 优势库存
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NXP
SO-8
2023+
12000
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相关型号： PHK13N03LT,518 PHK12NQ10T,518 PHK12NQ03LT,518 PHK1 PHK04P02T,518 PHJ2-KIT

PHK18NQ03LT,518
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PHK18NQ03LT,518参数：MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.9 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1380pF @ 12V
功率 - 最大值：6.25W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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