PHK04P02T,518参数：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：16V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.66A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 1A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：528pF @ 12.8V功率 - 最大值：5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO
