PHKD6N02LT,518参数:MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:2,500系列:TrenchMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 3A,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15.3nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):950pF @ 10V功率 - 最大值:4.17W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SO