PHM30NQ10T,518参数:MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:TrenchMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):37.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 18A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):53.7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3600pF @ 25V功率 - 最大值:62.5W安装类型:表面贴装封装:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-HVSON(6x5)