PHN210T118

PHN210T,118
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PHN210T,118参数：MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 20V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO