PHX8NQ11T

PHX8NQ11T,127
PDF资料下载

PHX8NQ11T,127参数：MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：TrenchMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：110V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：360pF @ 25V
功率 - 最大值：27.7W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 隔离片
供应商器件封装：TO-220-3