PMDPB70EN,115参数：MOSF N CH DL 30V 4.5A 6DFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：*包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：57 毫欧 @ 3.5A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：130pF @ 15V功率 - 最大值：510mW安装类型：表面贴装封装：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN（2x2）