PMDT290UCE,115参数：MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：4,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：800mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 500mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：0.95V @ 250µ:A不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.68nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：83pF @ 10V功率 - 最大值：330mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-666
